可制備小至單原子,大至直徑大于10nm團(tuán)簇
無質(zhì)量選擇條件下,團(tuán)簇直徑分布小于±10%
可制備大部分金屬,部分半導(dǎo)體、絕緣體團(tuán)簇
可配備蒸發(fā)源、磁控濺射、火花燒蝕等產(chǎn)生源
液氮、水冷;氣壓、溫度可控;冷凝距離可調(diào)
兼容金屬、玻璃、陶瓷、聚合物等襯底或粉末
典型金屬團(tuán)簇束流>1nA;其他團(tuán)簇束流>100pA
精確可調(diào),可實(shí)現(xiàn)團(tuán)簇軟著陸沉積、高能撞擊
功能軟件控制,運(yùn)行日志存檔,實(shí)驗(yàn)參數(shù)調(diào)用