大尺寸范圍:可制備小至單原子,大至直徑大于10nm團簇;
窄尺寸分布:無質量選擇條件下,團簇直徑分布小于±10%;
廣材料種類:可制備大部分金屬,部分半導體、絕緣體團簇;
原子氣產(chǎn)生:可配備蒸發(fā)源、磁控濺射、火花燒蝕等產(chǎn)生源;
氣相冷凝腔:液氮、水冷;氣壓、溫度可控;冷凝距離可調;
多沉積形式;兼容金屬、玻璃、陶瓷、聚合物等襯底或粉末;
高束流流量:典型金屬團簇束流>1nA;其他團簇束流>100pA;
穩(wěn)沉積能量:精確可調,可實現(xiàn)團簇軟著陸沉積、高能撞擊;
計算機控制:功能軟件控制,運行日志存檔,實驗參數(shù)調用;